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date.png 2022-09-22 09:18:45

碳化硅(SIC)是半导体界公认的“一种未来的材料”,是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5~10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅(SI)材料的负载量已到达极限

碳化硅(SIC)是半导体界公认的“一种未来的材料”,是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5~10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅(SI)材料的负载量已到达极限,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间烧结碳化硅。 根据数据显示,碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在,且发展前景良好。这种趋势非但不会改变,碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术,以应用于具体且具有发展前景的项目。碳化硅(SiC)为共价键化合物。碳化硅晶体结构中的单位晶胞是由相同四面体构成的,主要晶型是α-型和β-型两种。α-SiC为高温稳定型碳化硅粉末,β-SiC为低温稳定型。β-SiC向α-SiC转变的温度始于2100℃,但转变速率很小。在0. 1MPa压力下分解温度为2380℃,不存在熔点。稳定性较好。在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蚀。SiC同硅酸在高温下也不发生反应,故具有抵抗酸性熔渣的良好性能碳化硅颗粒。SiC同石灰在525度开始反应,在1000度附近反应显著,与氧化铜的反应在800度已强烈进行。同氧化铁在1000-1200度,进行反应,到1300度已明显崩裂反应。同氧化锰反应从1360度起到崩裂反应。SiC在中,从600度开始与之反应,到1200度可使其分解为SiCl4和CCl4。熔融碱在炽热下可使SiC分解。性较好。碳化硅在常温下,性很好,在合成SiC时残留的Si、C及氧化铁对SiC的氧化程度有影响。在普通氧化气氛下纯SiC可在高达1500度的温度下安全使用,而含有部分杂质的碳化硅,在1220度会发生氧化。化硅的应用:LF炉精炼是冶炼高附加值品种钢的必要工序。炼钢就是炼渣,LF炉精炼的关键是造渣,通过渣-钢之间的反应完成脱氧、脱硫、夹杂物变性及去除等任务。不同的钢种对应不同成分的目标渣系,且要求较严格。但是由于转炉或电炉出钢过氧化程度或下渣量的变化,以及石灰、萤石等造渣料的成份波动等因素影响,操作过程并不能按照恒定的配渣量、配渣比以及脱氧材料量进行调渣。与现有技术相比,88碳化硅的LF炉基于看渣的快速调渣方法,可减少取渣样和分析渣样的时间和次数,使调渣操作不是检验周期的影响;LF炉调渣时间缩短9分钟,LF炉精炼周期缩短9min。炉渣成份命中率提高5%,达到了降低生产成本又提高产品质量的目的,具有可观的经济效益。与现有技术相比,88碳化硅的LF炉基于看渣的快速调渣方法,可减少取渣样和分析渣样的时间和次数,使调渣操作不是检验周期的影响;LF炉调渣时间缩短9分钟,LF炉精炼周期缩短9min。炉渣成份命中率提高5%,达到了降低生产成本又提高产品质量的目的,具有可观的经济效益。出钢过程中,往钢包底吹气,82碳化硅脱氧形成泡沫渣,碳化硅脱氧产物co气体在钢包内及钢流周围形成还原性气幕,隔绝空气与钢液接触,抑制钢液吸氮,同时,出钢过程中进行挡渣操作,降低出钢增氮量。控制转炉出钢的碳含量及终点氧含量包括:钢种要求碳含量≤0.15%时,转炉出钢碳含量控制为0.04%~0.06%,终点氧含量为400~600ppm。